24小时服务热线
19337881562
ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器
2016年11月26日 基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低， 本文采用 ICP-MS 法对高纯碳化硅粉表面的 Na 、 Al、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、Cd 12 种痕量杂质进行测 01020304粒度指标新标准对碳化硅的粒度指标进行了修订，采用了更加先进的粒度测试方法，提高了粒度分布的精度和准确性。杂质含量新标准对碳化硅的杂质含量进行了更加严格的控制，提 新解读《GBT 2480-2022普通磨料 碳化硅》.pptx - 人人文库
了解更多
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素 ...
本文根据一些与碳化硅相关的化学分析标准,结合其它方面的分析方法 [9-13],通过方法比对试验证明,采用无水碳酸钠与硼酸混合熔剂熔解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定碳化硅 研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度98.42%,中位粒径为0.404μm的微纳米粉体材料,比表面积由0.8879m~2/g提高到8.0321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯度95.5%,中位 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...
了解更多
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术
碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂 2019年9月2日 高纯碳化硅微量元素的测定（GB/T37254-2018）规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES）法和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标
了解更多
【复材资讯】高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标
2019年9月7日 高纯碳化硅微量元素的测定 (GB/T37254-2018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱 (ICP-MS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。 本标准适用于碳化硅质量分数含量大于 2019年9月12日 高纯碳化硅微量元素的测定(GB/T37254-2018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的 高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T37254-2018
了解更多
YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光 ...
2024年9月20日 《YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准下载.YS∕T1600-2023 ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2-2023 粗碳酸锂化学 工业用碳化硅为人造碳化硅,SiC含量为95%~99.5%,常含少量的游离碳,以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因其结晶排列的周 超细碳化硅杂质含量
了解更多
YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合 ...
2024年9月20日 《YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》标准下载.YS∕T1601-2023 ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2-2023 粗碳酸锂化学 2025年1月2日 【可行性报告】2024年碳化硅超细粉体行业项目可行性分析报告.docx,研究报告 PAGE 1 ... 产品出厂前，将进行严格的质量检测，包括粒度、纯度、杂质含量 等关键指标。通 【可行性报告】2024年碳化硅超细粉体行业项目可行性分析 ...
了解更多
碳化硅知识全解析：制备、性质与应用
2024年12月23日 该方法通过高温气体反应，得到超细且高纯度的SiC粉体。在反应中，常用的Si源包括SiH4和SiCl4，而C源则选择CH4 ... 在自蔓延合成法的改进过程中，研究者们通过严 2024年9月20日 《YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准下载.YS∕T1600-2023 ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2-2023 粗碳酸锂化学 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光 ...
了解更多
2024年碳化硅超细粉体项目深度研究分析报告.docx-原创力文档
2025年1月2日 2024年碳化硅超细粉体项目深度研究分析报告.docx,研究报告 PAGE 1 - 2024年碳化硅超细粉体项目深度研究分析报告 一、项目背景与意义 1.碳化硅超细粉体的发展现状 (1) 碳 超细。一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法工业碳化硅含杂质的种类和含量不同，呈现浅黄、绿、蓝乃黑色，许多应用因工业碳化硅纯度不高而受到限制。[0003]随着半导体工业的 超细碳化硅杂质含量
了解更多
YS/T 218-2021 超细羰基镍粉标准下载-化工机械-金属冶金
2022年11月27日 《YS/T 218-2021 超细羰基镍粉》标准下载.本文件规定了超细羰基镍粉的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。本文件适用 2023年12月20日 1、本发明要解决的是现有技术中工业化生产超细碳化硅粉末时，连续化生产困难、综合得率不高、产品杂质含量 高、工况维护成本高等问题，提供了一种基于等离子体热 一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
了解更多
半导体制造用超细SiC陶瓷粉体应如何改性？_粉体资讯_粉体圈
2024年12月24日 随着超细材料科学的快速发展，人们对超细粉体材料的性能提出了更高的要求。特别是在半导体制造领域，碳化硅（SiC）陶瓷作为一种重要的高性能结构材料，对其原料粉 2024年12月9日 在橡胶轮胎的应用： 添加一定量的纳米碳化硅在不改变原胶配方进行改性处理，在不降低其原有性能和质量的前提下，其耐磨性可提高 15％—30％。 另外纳米碳化硅应用 超细 纳米碳化硅粉末的作用及其多方面的应用场景实际用途
了解更多
YS/T 630-2016 氧化铝化学分析方法杂质元素含量的测定 ...
2019年5月15日 《YS/T 630-2016 氧化铝化学分析方法杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》标准下载.YS∕T630-2016 ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2 2024年5月24日 不同于风选工艺，水洗工艺生产的黑碳化硅微粉颗粒一致性更高，纯净度更高，游离碳、游离硅的含量很低，杂质少，不仅使用于研磨抛光，也应用于改良树脂、功能涂料、复合材料等行业。 黑碳化硅W5超细粉即3000目 黑碳化硅W5超细粉即3000目 - ChemicalBook
了解更多
碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法常见问题解答山东金 ...
2022年9月7日 另外，合成的粉体为纳米级的超细粉体，不易收集，同时合成速率较低，目前无法用于生产大批量的高纯SiC粉体。 2.等离子体法 等离子体法是将反应气体通入由射频电源激发 2019年5月15日 《YS/T 922-2013 高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》标准下载.YS∕T922-2013 ... YS/T 598-2023 超细 二氧化钌粉 YS/T 1593.2-2023 粗碳酸锂化 YS/T 922-2013 高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的 ...
了解更多
高纯碳化硅制品合成配方及生产方法
2024年8月31日 11、一种高纯碳化硅复合膜料及其制备方法和在基体上形成无杂质碳化硅 ... 90、一种低温低成本高纯碳化硅超细 微粒的制备方法 91、半导体用高纯碳化硅微粉的提纯方法 92 2025年1月2日 碳化硅超细粉体项目可行性分析报告.docx,研究报告 1 - 1 - 碳化硅超细粉体项目可行性分析报告 一、项目概述 1.项目背景 (1) 随着全球工业技术的飞速发展，新型材料在各个领 碳化硅超细粉体项目可行性分析报告.docx 22页 - 原创力文档
了解更多
超细碳化硅粉体表面改性及重结晶碳化硅陶瓷注浆成型研究 ...
(5)以制备的改性超细SiC粉体为原料,进行注浆成型.通过浆料粘度和素坯密度,综合对比四种改性超细SiC粉体的分散性.在p H值为9时,由固相含量为55 vol%,粘度为142.3 m Pas的KH550-PSS 2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
了解更多
一种超细高纯碳化硅粉末的制备方法技术_技高网
2023年12月17日 一种超细高纯碳化硅粉末的制备方法，包括以下制备步骤：（1）通过循环工作气体置换反应器内气体后，在等离子弧炬中通入等离子体工作气体并维持等离子弧稳 2、纳米碳化硅粉改性特种工程塑料聚醚醚酮（PEEK）耐磨性能：我公司表面处理后的超细碳化硅粉，在添加量为5％左右时，可大大改善和提高PEEK的耐磨性（提高原来的30%以上）；纳米碳化硅_上海超威纳米科技有限公司
了解更多
超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
2013年3月14日 超细SiC微 粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因 此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原料， 通过 2022年10月26日 本文件适用于高纯钌中杂质元素含量的测定。各元素测定范围:0.001ug/g~100ug/ 欢迎访问学兔兔标准下载网，学习、交流 分享 ... YS/T 598-2023 超细 二氧 YS/T 1505-2021 高纯钌化学分析方法 杂质元素含量的测定 ...
了解更多
超细碳化硅粉体的制备及应用简介 - 360powder
2016年12月23日 超细碳化硅粉体性能优于传统的碳化硅粉体，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。 近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法， 2022年10月26日 《YS/T 1504-2021 高纯钯化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准下载.本文件规定了高纯钯中杂质元素含量的测定方法;测定元素见表1。 本文件适用于 YS/T 1504-2021 高纯钯化学分析方法 杂质元素含量的测定 ...
了解更多
金刚石线切割技术推动硅废料循环再利用，助力太阳
2025年1月26日 然而，由于硅和碳化硅的密度差相对较小，该方法在处理超细 颗粒时的分离效果仍需改进。电分离法 WU等基于硅与碳化硅颗粒表面电荷的差异，设计了一种创新的电分离法。在电场的作用下，由于硅颗粒具有较高的负电 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 来自 掌桥科研 喜欢 0 阅读量： 770 作者： 铁健 展开 摘要 ... 通过纯度分析,碳化硅微纳米粉体的水流分级未引入杂质,化学成分基本 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...
了解更多
一种超细β碳化硅及其制备方法 - X技术网
2013年12月25日 一种超细β碳化硅及其制备方法 【专利摘要】本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步
了解更多